Корпорация Samsung Electronics объявила о начале строительства новой современной фабрики по выпуску флэш-памяти 3D V-NAND на территории собственного производственного комплекса в городе Пхёнтхэк, Южная Корея.
Строительство началось в мае и по планам Samsung закончится к середине 2021 года. Серийный выпуск полупроводниковых пластин начнется во второй половине следующего года. Руководство технологического гиганта видит потенциально большой спрос на NAND-память со стороны растущего рынка 5G-устройств, операторов центров обработки данных и другой инфраструктуры, включая консоли следующего поколения и мобильных устройств.
С середины прошлого года Samsung одной из первых компаний запустила производство 128-слойной флэш-памяти 3D V-NAND шестого поколения, которая может быть сконфигурирована от одного (SLC) до четырех (QLC) битов на ячейку. Планы по развитию технологий 3D V-NAND в первую очередь включают в себя увеличение количества слоев.
Источник:
Samsung
