Южнокорейский чипмейкер SK Hynix сообщил о начале массового производства микросхем памяти HBM2E с рекордной скоростью передачи информации 3,6 Гбит/с на контакт. Один такой стек обладает впечатляющей пропускной способностью 460 Гбайт/с. Для сравнения, у 8 Гбайт памяти GDDR6 с 256-битной шиной и эффективной частотой 14 ГГц из состава GeForce RTX 2080 этот показатель составляет 448 Гбайт/с.
В новых микросхемах HBM2E компания объединила восемь 16-гигабитных (2 ГБ) кристаллов через вертикальные межкремниевые соединения through-silicon-via (TSV). Соответственно, ёмкость такого чипа составляет 16 Гбайт. Высокоскоростная память SK Hynix HBM2E найдёт применение в сферах машинного обучения, искусственного интеллекта, ресурсоёмких вычислениях и high-end графических ускорителях.
На сегодня многослойную память HBM (high-bandwidth memory) можно встретить преимущественно в топовых ускорителях вычислений, таких как Nvidia A100. В нём активны пять 8-гигабайтных стеков HBM2 с эффективной частотой 2,4 ГГц, благодаря чему достигается скорость обмена информацией в 1,6 Тбайт/с. Если Nvidia решит использовать в его преемнике новые чипы SK Hynix, то пропускная способность буфера вырастет до 2,4 Тбайт/с.
Источник:
SK Hynix