Южнокорейский чипмейкер SK Hynix выпустил первые в отрасли 176-слойные микросхемы памяти 3D NAND с тремя битами на ячейку (TLC). Образцы 512-гигабитных кристаллов уже направлены производителям SSD-контроллеров для тестирования и разработки конечных продуктов.
В основе 176-слойных чипов памяти 3D NAND TLC лежит технология 4D NAND, подразумевающая перенос логических цепей управления под сам трёхмерный массив ячеек. SK Hynix использует её со времён 96-слойных микросхем флэш-памяти, выпуск которых был налажен в 2018 году. Благодаря переходу к 176-слойным решениям SK Hynix удалось повысить эффективность производства на 35%, а также на треть увеличить скорость передачи информации — до 1,6 Гбит/с.
Для начала 512-гигабитные кристаллы 3D NAND TLC будут опробованы в мобильных устройствах, где ни принесут 70%-ный прирост максимальной скорости чтение и 35%-ный в случае записи. Это произойдёт в середине 2021 года. После этого новые микросхемы найдут применение в твердотельных накопителях потребительского и корпоративного уровня. В планы SK Hynix также входит серийный выпуск 176-слойных кристаллов 3D NAND TLC вместимостью 1 Тбит.
Источник:
Guru3D