В рамках конференции Hot Chips 33 компания Samsung поделилась планами по выпуску оперативной памяти стандарта Double Data Rate 5. Южнокорейский гигант объявил, что ему удалось создать первый в отрасли 512-гигабайтный модуль DDR5-7200. Серийное производство таких планок Samsung рассчитывает запустить до конца этого года.
Выпуск 512-гигабайтных модулей DDR5 стал возможен благодаря использованию многослойных чипов DRAM. Одна такая микросхема состоит из восьми слоёв, связанных посредством сквозных межкремниевых соединений TSV (through-silicon-via). Аналогичную технологию Samsung ныне задействует при выпуске чипов DDR4, правда, количество слоёв в них ограничено четырьмя. Вдобавок высота стека у решений прошлого поколения равна 1,2 мм против 1,0 мм в случае микросхем DDR5.
Модули DDR5 объёмом до 512 Гбайт рассчитаны в первую очередь на серверный рынок, где с развитием ИИ и облачных технологий растёт потребность в большом объёме ОЗУ. Для персональных компьютеров изначально будут доступны планки ёмкостью до 32 или 64 Гбайт. По оценкам Samsung, оперативная память DDR5 обойдёт по поставкам DDR4 только в 2023-2024 годах, так что у производителей ОЗУ есть ещё много времени для доработки новых продуктов.
Источник:
HotHardware