Samsung Electronics готовится к началу серийного производства высокоскоростных микросхем памяти GDDR6. Южнокорейский гигант уже начала поставлять своим партнёрам образцы чипов с эффективной частотой вплоть до 24 ГГц. Встретить их можно будет в новом поколении графических карт от AMD, Nvidia и, возможно, Intel.
Для новых микросхем Samsung GDDR6 характерна ёмкость 16 Гбит (2 ГБ) и пропускная способность от 14 до 24 Гбит/с на контакт. Добавим, что на сегодня наиболее быстрые чипы в ассортименте корейцев имеют скорость 18 Гбит/с, а Micron Technology лишь недавно смогла наладить выпуск чипов GDDR6X с эффективной частотой 21 ГГц.
Улучшенная память GDDR6 позволит существенно нарастить пропускную способность видеобуфера, не прибегая к использованию дорогой HBM2E. Например, у видеокарт с 256-разрядной шиной и топовыми чипами Samsung она составит 768 Гбайт/с. В настоящее время таким показателем обладает GeForce RTX 3080, сочетающая 320-битную шину и микросхемы GDDR6X.
Ориентировочные сроки выхода новых микросхем GDDR6 южнокорейский чипмейкер пока держит в секрете.