Южнокорейский чипмейкер SK hynix в прошлом месяце сообщил о планах наладить выпуск микросхем памяти HBM3E по 10-нм технологии пятого поколения, также известной как 1b нм. Для новых чипов заявлена скорость обмена информацией 8 Гбит/с на контакт, что на четверть больше относительно актуальной памяти HBM3. Суду по сообщениям азиатских СМИ, новинка SK hynix уже привлекла внимание потенциальных заказчиков.
Nvidia уже запросила у SK hynix образцы высокоскоростных микросхем HBM3E. «Зелёные», вероятно, рассматривают возможность использования данных чипов в новом поколении ускорителей вычислений, в основу которых ляжет архитектура Hopper-Next или Blackwell. Их официальный дебют Nvidia запланировала на следующий год, что в целом соответствует графику производства новых микросхем HBM3E.
SK Hynix рассчитывает наладить пробный выпуск вышеупомянутых чипов во второй половине этого года, а старт массового производства запланирован на первую половину 2024-го. Если чипмейкеру удастся заключить новый контракт с Nvidia, то это поможет дополнительно укрепить позиции на рынке многослойной памяти HBM.
Источник:
TechPowerUp