Компания объявила о завершении разработки новых модулей памяти GDDR7. Старт разработки нового стандарта графической памяти был анонсирован восемь месяцев назад, и сейчас компания Samsung первая готова к запуску производства GDDR7. Изначально в планах Samsung было выйти на уровень пропускной способностью 36 Гбит/с, но пока заявлено только о модулях GDDR7 32 Гбит/с.
В новой памяти используется амплитудно-импульсная модуляция PAM3, которая позволяет передавать на 50% больше данных за один цикл. При этом энергоэффективность GDDR7 на 20% лучше в сравнении с GDDR6. В модулях памяти Samsung GDDR7 предусмотрен специальный оптимизированный высокопроизводительный режим и энергосберегающий режим с низким рабочим напряжением (для ноутбуков). Микросхемы GDDR7 выполнены в формате BGA с 266 контактами вместо 180 контактов у старой памяти GDDR6. Это потребует переработки печатных плат для продуктов следующего поколения. Для термоэлементов будет использоваться специальный компаунд с улучшенной теплопроводностью.
При 256-битной шине доступа к памяти с GDDR7 общая пропускная способность достигнет 1 ТБ/с, что на уровне пропускной способности GeForce RTX 4090 с 384-битной шиной и памятью GDDR6X 21 Гбит/с. В сочетании с 384-битной шиной новая память обеспечит пропускную способность 1,5 ТБ/с.
О применении новой памяти в каких-то видеокартах AMD или Nvidia пока не заявлено. В официальном пресс-релизе кроме графических устройств для ПК и консолей упоминается использование памяти в продуктах для ИИ, высокопроизводительных вычислений (HPC) и автомобильных систем. Так что первыми новую память могут получить какие-то специализированные ускорители вычислений.
Также над GDDR7 работает компания Micron. Но, вероятно, компания еще не готова к производству новой памяти.
