Компания Micron готова к выпуску самой быстрой памяти стандарта HBM3. Модули HBM3 Gen2 получили ёмкость 24 ГБ при рекордной пропускной способности 1,2 ТБ/с. Новая память ориентирована на устройства для центров обработки данных ИИ и высокопроизводительных вычислений.
Максимальная производительность на контакт у новой памяти 9,2 ГТ/с (гигатрансфер в секунду), что на 44% лучше стандартных решений HBM3. Благодаря этому общая пропускная способность стека памяти 1,2 ТБ/с (терабайт в секунду). Система памяти с четырьмя банками памяти HBM3 Gen2 и шиной 4096 бит способна обеспечит пропускную способность 4,8 ТБ/с, а система памяти с шестью модулями способна обеспечит пропускную способность 7,2 ТБ/с. Для сравнения: пиковая пропускная способность памяти ускорителя Nvidia H100 SXM составляет 3,35 ТБ/с.
Блоки памяти Micron HBM3 состоят из 8 слоев, в то время как SK hynix предлагает 12-слойные модули HBM3E объемом 24 ГБ. Новые кристаллы повышенной плотности производятся на базе техпроцесса 1β (1-beta). В чипах Micron увеличено количество сквозных соединений TSV и уменьшено расстояние между кристаллами DRAM. Это уменьшило тепловое соединение и облегчило охлаждение. Новая память поддерживает коррекцию ошибок ECC Reed-Solomon, мягкое восстановление ячеек памяти, жесткое восстановление ячеек памяти и все иные функции, отвечающие стандарту HBM3.
Новая память аппаратно совместима с GPU и CPU, которые рассчитаны на стандартную память HBM3. Поэтому проектировщики и производители смогут легко перевести свои устройства на новую память от Micron. Массовое производство памяти стартует в начале 2024 года.
Micron уже ведет разработку следующего типа памяти, который компания называет HBM Next (HBM4). Новая память получит объем 64 ГБ и пропускную способность до 2 ТБ/с.
Источник:
Anandtech
