Samsung Electronics сообщила о разработке первых в отрасли 32-гигабитных микросхем DDR5, изготавливаемых по технологии 12-нм класса. Это позволит создавать модули оперативной памяти ещё большего объёма. В опубликованном пресс-релизе южнокорейский гигант заявляет, что новые чипы позволят выпускать серверные планки ёмкостью до 1 ТБ.
Появление микросхем DDR5 объёмом 32 Гбит также позволит улучшить энергоэффективность планок ОЗУ. Например, в случае 16-гигабитных чипов для создания модулей ёмкостью 128 Гбайт приходилось использовать технологию сквозных межкремниевых соединений TSV (through-silicon-via). Благодаря выпуску 32-гигабитных решений можно будет полностью отказаться от TSV, что уменьшит энергопотребление 128-гигабайтных модулей DDR5 примерно на 10%.
Более подробные характеристики новых микросхем Samsung, вероятно, опубликует ближе к концу этого года, когда они будут готовы к старту массового производства.
Источник:
TechPowerUp
