Samsung Electronics продемонстрирует микросхемы памяти GDDR7 на конференции IEEE Solid State Circuit Conference (SSCC), которая пройдёт в Сан-Франциско в следующем месяце. Этот стандарт памяти ориентирован на использование в видеокартах или игровых консолях и обеспечивает более чем полуторакратное увеличение пропускной способности по сравнению с актуальными чипами GDDR6.
В частности, Samsung планирует представить широкой публике 16-гигабитные микросхемы GDDR7 со скоростью передачи данных 37 Гбит/с на контакт. Для достижения таких показателей в новом стандарте графической памяти будет использована амплитудно-импульсная модуляция PAM3 с тремя уровнями сигнала. К слову, в GDDR6X, совместной разработке Micron Technology и Nvidia, применена PAM4.
Ориентировочные сроки старта массового производства микросхем GDDR7 южнокорейский чипмейкер, к сожалению, пока не раскрывает. Зарубежные коллеги предполагают, что новый стандарт памяти будет использоваться в видеокартах Nvidia GeForce RTX 50-й серии (архитектура Blackwell) и AMD Radeon RX 8000 (RDNA 4).
Источник:
TechPowerUp