Компания Samsung поделилась своими планами относительно запуска нового типа памяти HBM4 и подтвердила намерения начать коммерческое производство такой памяти в 2025 году. Сейчас компания предлагает заказчикам HBM3e под кодовым именем Shinebolt с поддержкой до 12 слоев памяти с упаковкой 2.5D, ёмкостью до 36 ГБ и скоростью передачи данных до 9,8 Гбит/с.
Следующим этапом станет выпуск нового поколения HBM4. Согласно ранней информации, эта память будет поддерживать до 16 слоев, перейдет к упаковке 3D и новым технологиям медных соединений между слоями. Это позволит нарастить емкость при увеличении пропускной способности памяти. Samsung уже обсуждает технические особенности памяти с клиентами и готовится к старту продаж в 2025 году.
Современные ускорители ИИ Nvidia Blackwell B200 используют 192 ГБ памяти HBM3e, а AMD Instinct MI30X оснащені 192 ГБ памяти HBM3. Уже известно, что AMD готовит обновленную серию ускорителей Instinct MI350, которая перейдет на HBM3e. О планах по внедрению HBM4 пока никто официально не объявлял, но можно предположить, что первыми устройствами с такой памятью станут обновленные ускорители Blackwell.
Источник:
Wccftech