Kioxia отчиталась о старте опытных поставок чипов 3D NAND QLC, выполненных по технологии BiCS (Bit-Cost-Scaling) восьмого поколения. Для новых кристаллов характерен объём 2 Тбит, что является наибольшим показателем в отрасли и позволит наладить производство более ёмких твердотельных накопителей. В них также использовано технологию CBA (CMOS direct Bonded to Array), которая помогла повысить скорость обмена информацией до 3,6 Гбит/с.
Как подчёркивает Kioxia, представленные чипы предлагают в 2,3 раза большую плотность хранения информации и на 70% более высокую энергоэффективность записи по сравнению с кристаллами QLC 5-го поколения, которые используются в самых ёмких продуктах компании. Благодаря новым чипам максимальная вместимость одной BGA-микросхемы 3D NAND QLC увеличивается до 4 Тбайт, для чего в ней будут объединены 16 кристаллов. Добавим, что в одном SSD формата M.2 производители могут использовать несколько таких микросхем.
В дополнение к вышеописанным 2-Тбит кристаллам QLC компания представила новые чипы 3D NAND QLC ёмкостью 1 Тбайт. Они предлагают на 30% более высокую скорость последовательной записи и на 15% лучшие задержки чтения, то есть подойдут для более производительных твердотельных накопителей. Сроки начала серийного производства чипмейкер раскрывать не стал.
Источник:
TechPowerUp
