SK hynix разрабатывает 400-слойную флеш память NAND и имеет план начать массовое производство до конца 2025 года. Для этого компания будет использовать технологию "гибридного соединения". Процесс разработки включает изучение новых материалов для соединения и новых технологий соединения отдельных пластин, включая полировку, травление, осаждение и электромонтаж. SK hynix планирует завершить разработку технологии и инфраструктуры до конца следующего года.
SK hynix продемонстрировала 321-слойный образец NAND в августе 2023 года. Чтобы достичь плотности в 400 слоев, компания планирует применить гибридное соединение со структурой «пластина к пластине» (W2W). Этот подход отличается от текущего метода «периферия под ячейкой» (PUC), при котором ячейки располагаются над периферийным участком цепи управления.
Переход к гибридному соединению направлен на решение проблем, связанных с увеличением количества слоев, таких как потенциальное повреждение периферийных устройств во время процесса укладки ячеек из-за высокой температуры и давления. Изготавливая ячейки и периферийные компоненты на отдельных пластинах перед их соединением, SK hynix надеется обеспечить стабильное увеличение количества слоев, защищая при этом периферийные компоненты.
Тенденция к увеличению количества слоев микросхем NAND не является уникальной для SK hynix. Другие производители полупроводников движутся в том же направлении:
- Samsung недавно начала массовое производство 290-слойной V-NAND и планирует выйти на более чем 1000 слоев к 2030 году.
- Micron выпустила продукт с 276-слойной 3D NAND в июле 2024 года.
- Kioxia достигла 218 слоев в 2023 году и предполагает, что достигнет 1000 слоев к 2027 году.
Источник:
Techpowerup