Компании Ferroelectric Memory Co. (FMC) и Neumonda объединяют усилия для запуска производства так называемой памяти DRAM+ в Германии. Когда-то немецкие компании Infineon и Qimonda занимались выпуском и разработками в области памяти, но постепенно свернули деятельность в стране, после того как производство в Европе стало экономически невыгодным. Теперь FMC и Neumonda хотят сосредоточиться на энергонезависимой памяти FeRAM для специализированных устройств.
Ячейки стандартной памяти DRAM сочетают транзистор и конденсатор. В FeRAM вместо конденсатора используется сегнетоэлектрический слой, что позволяет сохранять заряд без внешнего питания. Но проблемой старых технологий FeRAM были ограничения по емкости. Большинство коммерческих продуктов имели объем 4 МБ или 8 МБ. Также такая память плохо масштабировалась для новых технологических процессов производства полупроводников.
FMC опирается на собственную технологию с сегнетоэлектрическим оксидом гафния (HfO₂), которая станет основой для DRAM+. Внедрение нового материала позволяет выпускать энергонезависимые запоминающие устройства с низким энергопотреблением, которые также совместимы с современными технологиями производства полупроводников, включая 10 нм и тоньше. Есть потенциал для выпуска микросхем памяти в диапазоне от гигабита до гигабайта, что приближает их по емкости в современным DRAM.
Немецкая компания Neumonda активно поддерживает проект, предоставляет свое оборудование для анализа и тестирования. Обе компании видят одной из основных целей своего сотрудничества возвращение производства полупроводниковой памяти в Европу. И вместе они делают шаг в этом направлении.
Источник:
Tom’s Hardware