Компания TSMC увеличивает инвестиции в полупроводниковое производство на территории США. В последнем финансовом отчете озвучиваются намерения производить 30% продукции класса N2 (2 нм) и новее на производственных мощностях в Аризоне.
Сейчас на заводе Fab 21 возле города Финикс уже работает производство на базе техпроцессов N4 и N5. Объемы производства на этих линиях постоянно растут, чтобы удовлетворить высокий спрос со стороны американских клиентов. Завершено строительство корпуса для производства по технологии N3, сейчас идет установка оборудования. Компания намерена ускорить этот процесс, чтобы начать производство на пару кварталов ранее запланированного графика в 2028 году. Также идет строительство третьего и четвертого модулей для производства по технологии N2 и A16 (1,6 нм). Первый из них могут ввести в эксплуатацию в 2029 году. В планах еще два модуля, которые будут использовать технологические процессы за рамками A16, например A14 или еще более продвинутые варианты.
Генеральный директор компании заявил, что после завершения проекта 30% всех передовых чипов по технологии N2 и тоньше будут производиться в Аризоне. Постепенно TSMC планирует превратить Fab 21 в гигантский производственный полупроводниковый кластер GigaFab с производственной мощностью от 100 000 пластин в месяц. Такие объемы производства призваны удовлетворить потребности ведущих клиентов в области смартфонов, искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений.
Источник:
Tom’s Hardware