Компанії Ferroelectric Memory Co. (FMC) і Neumonda об’єднують зусилля для запуску виробництва так званої пам’яті DRAM+ у Німеччині. Колись німецькі компанії Infineon та Qimonda займалися випуском і розробками в галузі пам’яті, але поступово згорнули діяльність у країні, після того, як виробництво в Європі стало економічно невигідним. Тепер FMC і Neumonda хочуть зосередитися на енергонезалежній пам’яті FeRAM для спеціалізованих пристроїв.
Комірки стандартної пам’яті DRAM поєднують транзистор і конденсатор. У FeRAM замість конденсатора використовується сегнетоелектричний шар, що дає змогу зберігати заряд без зовнішнього живлення. Але проблемою старих технологій FeRAM були обмеження за місткістю. Більшість комерційних продуктів мали обсяг 4 МБ або 8 МБ. Також така пам’ять погано масштабувалася для нових технологічних процесів виробництва напівпровідників.
FMC спирається на власну технологію з сегнетоелектричним оксидом гафнію (HfO₂), яка стане основою для DRAM+. Впровадження нового матеріалу дає змогу випускати енергонезалежні запам’ятовуючі пристрої з низьким енергоспоживанням, які також сумісні з сучасними технологіями виробництва напівпровідників, включно з 10 нм і «тонше». Є потенціал для випуску мікросхем пам’яті в діапазоні від гігабіта до гігабайта, що наближає їх за обсягом до сучасних DRAM.
Німецька компанія Neumonda активно підтримує проєкт, надає своє обладнання для аналізу і тестування. Обидві компанії бачать однією з основних цілей своєї співпраці повернення виробництва напівпровідникової пам’яті в Європу. І разом вони роблять крок у цьому напрямку.
Джерело:
Tom’s Hardware