SK Hynix повідомила про старт тестового постачання мікросхем DDR5 місткістю 24 Гбіт. Для їхнього випуску використовується технологія класу 1a-нм із застосуванням екстремальної ультрафіолетової літографії (EUV). Чіпмейкер заявляє про приріст швидкісних показників до 33%, а також 25% зниження енергоспоживання в порівнянні з актуальними продуктами.
Вищезгадані мікросхеми послужать основою 48- і 96-гігабайтних модулів DDR5 для серверів та суперкомп'ютерів. У майбутньому, ймовірно, буде налагоджено випуск аналогічних рішень для персональних комп'ютерів. Нагадаємо, що сьогодні на конвеєрі SK Hynix виробляються мікросхеми DRAM місткістю 16 Гбіт, при цьому вендор не втрачає можливості нагадати, що першу у світі пам'ять DDR5 компанія випустила ще в жовтні 2020-го.
«Intel та SK Hynix мають довгу історію тісної співпраці, — заявила Керолайн Дюран (Carolyn Duran), віцепрезидент Intel Data Center та AI Group з технологій IO та пам'яті. — Сьогоднішній анонс є ще однією ілюстрацією спільної роботи двох наших компаній над створенням 24-гігабітних рішень для задоволення потреб наших спільних клієнтів».
Джерело:
SK Hynix
