Samsung опублікувала звіт про нові розробки в галузі технології магніторезистивної оперативної пам'яті MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory). Науково-дослідні відділи корейської корпорації знайшли спосіб проводити обчислення у самій MRAM. Це може докорінно змінити уявлення про організацію та структуру обчислювальних систем.
У класичній архітектурі обчислення виконуються у центральному процесорі, а дані зберігаються у внутрішній пам'яті, розділеній на ОЗУ та ПЗУ. Процесор та пам'ять з'єднані системною шиною, що включає шини адреси, даних та управління. Ідея Samsung полягає в тому, що MRAM буде зберігати та обробляти дані в одному місці, що дозволить підвищити швидкодію та значно знизити енергоспоживання обчислювального вузла.
Сама собою магніторезистивна пам'ять виробляється кілька років провідними компаніями, включаючи Intel, Samsung або GlobalFoundries. MRAM пропонує продуктивність DRAM з енергонезалежністю флешпам'яті NAND та може зберігати записані дані багато років без необхідності подачі живлення.
Зрозуміло, MRAM має свої недоліки. Найбільшим є низька щільність та неможливість створення мікросхем великого обсягу. Крім того, вона має дуже низький електричний опір у порівнянні з конкуруючими технологіями пам'яті.
Тому Samsung вивчає можливість використання MRAM на ринках IoT та AI. Конкретний звіт компанії пов'язаний з нейроморфними комп'ютерами, що моделюють роботу мозку живої істоти (прикладом може бути чіп Intel Loihi). Нейроморфним комп'ютерам не потрібен великий обсяг пам'яті через особливості їхньої роботи.
Цікаво, що вчені Samsung змогли покласти недолік низького опору MRAM в основу обчислень, оперуючи поняттям «суми опорів». Фахівцям вдалося запустити ШІ для класифікації зображень на схемах MRAM та досягти точності 98% для рукописних цифр та 93% для осіб. У майбутньому MRAM знайде своє застосування в «технологіях чіпів штучного інтелекту з низьким енергоспоживанням наступного покоління» та нейроморфних обчисленнях.
Джерело:
HotHardware