Samsung Electronics прозвітувала про старт пробних постачань мікросхем GDDR6 з пропускною здатністю 24 Гбіт/с на контакт. Як підкреслює південнокорейський гігант, це найшвидші в галузі чипи GDDR6. Як одна з областей застосування новинок вказується наступне покоління графічних карт.
При виробництві вищезгаданих мікросхем GDDR6 корейці використовують технологію 10-нм класу із застосуванням екстремальної ультрафіолетової (EUV) літографії. Для нових чипів характерна місткість 16 Гбіт (2 ГБ). Це, наприклад, дозволяє оснастити відеоадаптер із 256-розрядною шиною буфером об'ємом 16 Гбайт. Пропускна здатність пам'яті при цьому становитиме 768 Гбайт/с. Подібні показники має GeForce RTX 3080 10GB, яка поєднує 320-бітну шину та чипи GDDR6X.
Окрім того, оновлена лінійка чипів Samsung GDDR6 включає енергоефективні рішення, призначені для використання в ноутбуках. Дані мікросхеми працюють при напрузі 1,1 (проти 1,35 В, встановлених стандартом GDDR6) та характеризуються швидкістю 16 й 20 Гбіт/с на контакт. Інакше кажучи, Samsung готова до релізу наступного покоління як десктопних, так і мобільних 3D-прискорювачів.
Джерело:
Samsung
