Компанія Samsung Electronics повідомила про розробку перших у галузі мікросхем DDR5, що випускаються за технологією 12-нм класу. Для нових чипів характерна місткість 16 Гбіт (2 ГБ) та швидкість передачі інформації 7,2 Гбіт/с на контакт. Водночас південнокорейський чипмейкер зазначає перевірку нових продуктів на сумісність із платформами AMD.
«Інновації часто вимагають тісної співпраці з галузевими партнерами, щоб розширити межі технологій, — розповідає Джо Макрі (Joe Macri), технічний директор з обчислювальних та графічних технологій в AMD. — Ми раді знову співпрацювати з Samsung, зокрема щодо впровадження продуктів пам’яті DDR5, які оптимізовані та перевірені на платформах Zen».
Під час випуску нових мікросхем DDR5 використовується технологія на основі екстремальної ультрафіолетової (EUV) літографії. Вона дозволила суттєво наростити щільність кристалів, у результаті з однієї кремнієвої пластини Samsung отримує на 20% більше чипів. Серед інших особливостей нової пам'яті DDR5 компанія виділяє на 23% менше енергоспоживання щодо мікросхем минулого покоління.
Запуск масового виробництва вищеописаних чипів Samsung DDR5 відбудеться у 2023 році.
Джерело:
Samsung
