Компанія SK Hynix оголосила про створення перших 12-шарових модулів пам'яті HBM3 місткістю 24 ГБ на стек. Щільність пам'яті таких модулів на 50% вище відносно перших HBM3, запущених у виробництво минулого року. Компанія готова постачати нові мікросхеми у другому півріччі. Перші зразки вже надані великим замовникам.
Інженери SK hynix підвищили ефективність виробничого процесу, застосувавши технології Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF) та Through Silicon Via (TSV). Це дозволило зменшити товщину одного чипа DRAM на 40% відносно 8-шарових модулів 16 ГБ.
Модулі HBM використовуються для створення високопродуктивних чипів, де пам'ять розташована на одній підкладці з процесором. З нарощуванням потужностей у сегменті високопродуктивних обчислень HPC та серверних систем зростає попит і на подібні пристрої. Найвідомішим продуктом з HBM3 є прискорювач Nvidia H100 на основі GPU Hopper, який активно використовується для навчання нейромереж. У графічного чипа H100 активно п'ять із шести стеків HBM3 по 16 ГБ, тому загальний обсяг високошвидкісної пам'яті сягає 80 ГБ. За тих же параметрів, але з новими модулями, прискорювач міг би використовувати 120 гігабайтів пам'яті. Це дає уявлення, скільки пам'яті буде у майбутніх прискорювачів Nvidia.
Джерело:
Videocardz