Samsung Electronics повідомила про запуск масового виробництва мікросхем DDR5 за «найбільш передовою в галузі» технологією 12-нм класу. Порівняно з рішеннями минулого покоління нові чипи забезпечують не лише кращу енергоефективність, але й вищу продуктивність.
«Використовуючи диференційований техпроцес, провідна в галузі пам'ять DDR5 DRAM 12-нм класу від Samsung забезпечує неперевершену продуктивність і енергоефективність, — заявив Джуйон Лі (Jooyoung Lee), виконавчий віцепрезидент з продуктів та технологій DRAM у Samsung Electronics.
Для вищезгаданих мікросхем Samsung DDR5 характерна місткість 16 Гбіт (2 ГБ) та швидкість передачі інформації до 7,2 Гбіт/с на контакт. Разом з цим перехід на нову технологію дозволив знизити енергоспоживання чипів на 23%, а також збільшити щільність кристалів, завдяки чому з однієї кремнієвої пластини південнокорейський гігант отримує на 20% більше мікросхем. У пресрелізі чипмейкер також згадує перевірку 16-гігабітної DRAM на сумісність із платформами AMD.
Джерело:
Samsung