SK hynix повідомила про запуск масового виробництва 238-шарових мікросхем пам'яті 3D NAND із трьома бітами на комірку (TLC). Для нових чипів зав'ялено швидкості передачі даних до 2,4 Гбіт/с, що на 50% більше, ніж у рішень минулого покоління. Це дозволяє, наприклад, використовувати їх у високошвидкісних NVMe-накопичувачах з інтерфейсом PCI Express 5.0 x4.
При випуску 238-шарових чипів SK hynix використовує фірмову технологію «4D NAND», в якій використано перенесення логічних ланцюгів управління під сам тривимірний масив. З особливостей новинок чипмейкер зазначає зниження енергоспоживання мікросхем на 21% під час читання та збільшення ефективності виробництва на 34%, тобто сумарна місткість чипів на одній пластині відчутно зросла.
Зараз компанія SK hynix проводить випробування на сумісність зі світовими виробниками смартфонів, а в майбутньому планує використовувати 238-шарові мікросхеми при випуску накопичувачів PCI-E 5.0 та серверних SSD великої місткості.
Джерело:
SK hynix
