Компанія Samsung оголосила про завершення розробки нових модулів пам'яті GDDR7. Старт розробки нового стандарту графічної пам'яті анонсовано вісім місяців тому, і зараз компанія перша готова до запуску виробництва GDDR7. Спочатку в планах Samsung було вийти на рівень пропускної здатності 36 Гбіт/с, але поки що заявлено тільки про модулі GDDR7 32 Гбіт/с.
У новій пам'яті використовується амплітудно-імпульсна модуляція PAM3, яка дозволяє передавати на 50% більше даних за цикл. При цьому енергоефективність GDDR7 на 20% краща порівняно з GDDR6. У модулях пам'яті Samsung GDDR7 передбачений спеціальний оптимізований високопродуктивний режим та енергозберігаючий режим з низькою робочою напругою (для ноутбуків). Мікросхеми GDDR7 виконані у форматі BGA із 266 контактами замість 180 контактів у старої пам'яті GDDR6. Це вимагатиме перероблювання друкованих плат для продуктів наступного покоління. Для термоелементів використовуватиметься спеціальний компаунд із покращеною теплопровідністю.
При 256-бітній шині доступу до пам'яті з GDDR7 загальна пропускна здатність досягне 1 ТБ/с, що на рівні GeForce RTX 4090 з 384-бітною шиною та пам'яттю GDDR6X 21 Гбіт/с. У поєднанні із 384-бітною шиною нова пам'ять забезпечить пропускну здатність 1,5 ТБ/с.
Про застосування нової пам'яті в якихось відеокартах AMD або Nvidia поки що не заявлено. В офіційному пресрелізі крім графічних пристроїв для ПК та консолей згадується використання пам'яті в продуктах для ШІ, високопродуктивних обчислень (HPC) та автомобільних систем. Тобто першими нову пам'ять можуть отримати якісь спеціалізовані прискорювачі обчислень.
Також над GDDR7 працює компанія Micron. Але, мабуть, вона ще готова до виробництва нової пам'яті.