Samsung Electronics повідомила про розробку перших у галузі 32-гігабітних мікросхем DDR5, що виготовляються за технологією 12-нм класу. Це дозволить створювати модулі оперативної пам'яті ще більшого обсягу. В опублікованому прес-релізі південнокорейський велетень заявляє, що нові чипи дозволять випускати серверні планки місткістю до 1 ТБ.
Поява мікросхем DDR5 об'ємом 32 Гбіт також дозволить покращити енергоефективність планок ОЗП. Наприклад, у разі 16-гігабітних чипів для створення модулів місткістю 128 Гбайт доводилося використовувати технологію наскрізних міжкремнієвих з'єднань TSV (through-silicon-via). Завдяки випуску 32-гігабітних рішень можна буде повністю відмовитись від TSV, що зменшить енергоспоживання 128-гігабайтних модулів DDR5 приблизно на 10%.
Докладніші характеристики нових мікросхем Samsung, ймовірно, опублікує ближче до кінця цього року, коли вони будуть готові до старту масового виробництва.
Джерело:
TechPowerUp
