Високий попит на прискорювачі обчислень для систем штучного інтелекту також впливає на доходи виробників багатошарової пам'яті HBM (High Bandwidth Memory). Зараз чипмейкери вкладають чимало ресурсів у вдосконалення цього виду пам'яті, анонсуючи місткіші та швидші мікросхеми. Зокрема, Samsung Electronics завершила розробку 12-шарового стека HBM3E місткістю 36 Гбайт та вже розпочала постачання зразків своїм партнерам.
Для нових мікросхем Samsung HBM3E заявлено пропускну здатність 1,28 Тбайт/с. Це в півтора раза більше за показник актуальних 8-шарових стеків місткістю 24 ГБ. Разом з цим південнокорейському гіганту вдалося зберегти висоту нових мікросхем HBM3E на колишньому рівні завдяки ряду фірмових технологій, на кшталт методу з використанням термокомпресійної діелектричної плівки (TC-NCF).
Старт масового виробництва 36-гігабайтних мікросхем Samsung HBM3E заплановано на першу половину цього року.
Джерело:
TechPowerUp
