Компанія Samsung поділилася своїми планами відносно запуску нового типу пам'яті HBM4 та підтвердила наміри розпочати комерційне виробництво такої пам'яті у 2025 році. Зараз вона пропонує замовникам HBM3e під кодовим ім'ям Shinebolt із підтримкою до 12 шарів пам'яті з пакуванням 2.5D, місткістю до 36 ГБ та швидкістю передачі даних до 9,8 Гбіт/с.
Наступним етапом стане випуск нового покоління HBM4. Згідно з ранньою інформацією, ця пам'ять підтримуватиме до 16 шарів, перейде до 3D-упаковки та нових технологій мідних з'єднань між шарами. Це дозволить збільшити місткість та збільшити пропускну здатність пам'яті. Samsung вже обговорює технічні особливості з клієнтами та готується до старту продажів у 2025 році.
Сучасні прискорювачі ШІ Nvidia Blackwell B200 використовують 192 ГБ пам'яті HBM3e, а AMD Instinct MI30X оснащені 192 ГБ пам'яті HBM3. Відомо, що AMD готує оновлену серію прискорювачів Instinct MI350, яка перейде на HBM3e. Про плани з впровадження HBM4 поки що ніхто офіційно не оголошував, але можна припустити, що першими пристроями з такою пам'яттю стануть оновлені прискорювачі Blackwell.
Джерело:
Wccftech