Kioxia прозвітувала про старт пробних поставок чипів 3D NAND QLC, виконаних за технологією BiCS (Bit-Cost-Scaling) восьмого покоління. Для нових кристалів характерний обсяг 2 Тбіт, що є найбільшим показником у галузі та дозволить налагодити виробництво більш містких твердотілих накопичувачів. У них також використано технологію CBA (CMOS direct Bonded to Array), яка допомогла підвищити швидкість обміну інформацією до 3,6 Гбіт/с.
Як підкреслює Kioxia, представлені чипи пропонують у 2,3 раза більшу щільність зберігання інформації та на 70% вищу енергоефективність запису порівняно з кристалами QLC 5-го покоління, які використовуються у найємніших продуктах компанії. Завдяки новим чипам максимальна місткість однієї BGA-мікросхеми 3D NAND QLC збільшується до 4 Тбайт, для чого в ній буде об'єднано 16 кристалів. Додамо, що в одному SSD формату M.2 виробники можуть використати кілька таких мікросхем.
На додаток до вищеописаних 2-Тбіт кристалів QLC компанія представила нові чипи 3D NAND QLC місткістю 1 Тбайт. Вони пропонують на 30% вищу швидкість послідовного запису та на 15% кращі затримки читання, тобто підійдуть для більш продуктивних твердотілих накопичувачів. Терміни початку серійного виробництва чипмейкер не розкриває.
Джерело:
TechPowerUp
