Найближчим часом ми побачимо запуск масового виробництва напівпровідників у США. Компанія TSMC готується розпочати випуск чипів на першому заводі в Аризоні. А Samsung Electronics веде підготовку до запуску виробництва на заводі Taylor в Техасі. Але обидві компанії зіткнулися з проблемами, через які запуск явно буде відкладено. Планувалося, що завод Samsung у Техасі вироблятиме чипи із застосуванням літографії нижче 4 нм, щоб відразу привернути увагу великих замовників. Пізніше компанія вирішила спробувати запустити тут дослідне виробництво 2 нм. Але Samsung відчуває серйозні проблеми з якістю виробництва навіть у рамках поточної технології Gate-All-Around (GAA) 3 нм. Відсоток виходу придатних чипів за цією технологією близько 50%, тоді як TSMC домоглася ефективності свого техпроцесу 3 нм на рівні 60-70%. Перехід на 2 нм пов'язаний зі ще більшими труднощами. Схоже, результати дослідного виробництва настільки погані, що компанія відкликає персонал із заводу.
Інсайдер із напівпровідникової галузі вказує, що ефективність нового техпроцесу лише 10-20%. Очевидно, таке виробництво не має економічної доцільності. Відомо, що Samsung веде консультації з виробниками обладнання ASML і Zeiss. Але практичних результатів з поліпшення виробництва поки що немає, тому Samsung відкликає всіх основних спеціалістів зі США.
Раніше Samsung підписала угоду з американським урядом у рамках Закону про чипи й науку (CHIPS) на отримання субсидій до $6,4 мільярда для підтримки виробництва в США. Однією з попередніх умов є запуск функціонуючого виробництва, чого компанії поки що не вдалося досягти. І подальші затримки можуть поставити під загрозу виділення субсидій. При цьому у самої Samsung були великі плани відносно Техасу, де планувалося побудувати до трьох заводів для випуску чипів.
Джерело:
Business Korea
