Samsung Electronics прискорює роботу над запуском виробничих потужностей для випуску напівпровідникових чипів за технологією 2 нм. Уже почалося встановлення передового літографічного обладнання для виробничих ліній на заводі S3 у Хвасоні. Це виробництво зможе випускати 7 тисяч пластин щомісяця вже в першому кварталі наступного року. Також триває підготовка виробничої лінії 1,4 нм на заводі в Пхьонтеку, у планах запуск виробництва в другій половині наступного року. А до кінця року Samsung хоче перевести всі лінії 3 нм, що залишилися на заводі S3, на випуск пластин 2 нм.
Також компанія переводить завод Pyeongtaek Fab 4 виключно на випуск DRAM. Скорочується виробництво за технологією 4 нм. Усе це є частиною стратегії з поступового переходу на виробництво 2 нм. При цьому варто зазначити, що в Мережі багато чуток відносно проблем з новим техпроцесом Samsung, але, ймовірно, інженери компанії поступово їх долають. Раніше компанія вирішила перенести запуск нового заводу в Техасі через проблеми з техпроцесом 2 нм. У початкових планах запуск американського заводу мав відбутися вже поточного року, але тепер пишуть, що навіть повний монтаж обладнання перенесли на 2026 рік. Ймовірно, Samsung почне масове виробництво 2 нм на власних корейських заводах для кращого контролю якості та технології.
Зараз Samsung відчуває сильний тиск з боку TSMC, і частка корейського виробника на ринку напівпровідників скоротилася до 11,5%. Нещодавно ми писали, що навіть деякі корейські компанії, які проєктують спеціалізовані чипи ШІ, йдуть від Samsung до TSMC. Тому для Samsung критично важливо забезпечити високу якість виробництва 2 нм і великі обсяги виробництва.
Джерело:
TechPowerUp
