Samsung Electronics відзвітувала про завершення розробки перших у галузі чипів стандарту GDDR7 місткістю 24 гігабіти (3 ГБ). Нагадаємо, що раніше південнокорейський гігант розпочав виробництво 16-гігабітних (2 ГБ) мікросхем зі швидкістю 28 та 32 Гбіт/с на контакт. Очікується, що саме вони будуть використовуватися в новому поколінні відеокарт GeForce RTX.
Під час випуску 24-гігабітних чипів GDDR7 планується використовувати п'яте покоління технології 10-нм класу. Серед особливостей новинок корейці відзначають підвищення енергоефективності більш ніж на 30% та на 50% більшу місткість за тих самих габаритів BGA-мікросхеми, що й у попередників. Для новинок компанія заявляє швидкості до 40 Гбіт/с, які можна буде збільшити до 42,5 Гбіт/с залежно від умов використання.
Для розуміння, завдяки переходу на мікросхеми GDDR7 40 Гбіт/с пропускна здатність пам'яті у відеокарти з 256-розрядним інтерфейсом складе вражаючі 1280 Гбайт/с. Це на чверть більше за показник GeForce RTX 4090 з 384-бітною шиною. Втім, на появу 3D-прискорювачів із такими чипами GDDR7 доведеться ще почекати.
Цього року Samsung розраховує розпочати випробування 24-гігабітних мікросхем GDDR7 у наступному поколінні ШІ-систем від партнерів. Старт комерційного використання очікується не раніше початку наступного року.
Джерело:
Samsung