Компанія TSMC збільшує інвестиції в напівпровідникове виробництво на території США. В останньому фінансовому звіті озвучуються наміри виробляти 30% продукції класу N2 (2 нм) і новіше на виробничих потужностях в Аризоні.
Наразі на заводі Fab 21 біля міста Фінікс уже працює виробництво на базі техпроцесів N4 і N5. Обсяги виробництва на цих лініях постійно зростають, щоб задовольнити високий попит з боку американських клієнтів. Завершено будівництво корпусу для виробництва за технологією N3, зараз триває встановлення обладнання. Компанія має намір прискорити цей процес, щоб почати виробництво на кілька кварталів раніше запланованого графіка у 2028 році. Також триває будівництво третього й четвертого модулів для виробництва за технологією N2 та A16 (1,6 нм). Перший із них можуть ввести в експлуатацію 2029 року. У планах ще два модулі, які використовуватимуть технологічні процеси за рамками A16, наприклад A14 або ще більш просунуті варіанти.
Генеральний директор компанії заявив, що після завершення проєкту 30% усіх передових чипів за технологією N2 і «тонше» вироблятимуть в Аризоні. Поступово TSMC планує перетворити Fab 21 на гігантський виробничий напівпровідниковий кластер GigaFab з виробничою потужністю від 100 000 пластин на місяць. Такі обсяги виробництва покликані задовольнити потреби провідних клієнтів у галузі смартфонів, штучного інтелекту і високопродуктивних обчислень.
Джерело:
Tom’s Hardware